Beli Infineon Technologies IPP080N06N G MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPP080N06N G

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Nomor Bagian

IPP080N06N G

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO220-3-1

Disipasi Daya (Maks)

214W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 150µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

93nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3500pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 30130 PCS

Kontak informasi