Beli Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1 MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPD60R650CEBTMA1

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Nomor Bagian

IPD60R650CEBTMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

CoolMOS™ CE

Status Bagian

Discontinued at Digi-Key

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO252-3

Disipasi Daya (Maks)

82W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

7A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 200µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

440pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 11908 PCS

Kontak informasi