IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Nomor Bagian
IPD35N10S3L26ATMA1
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3
Disipasi Daya (Maks)
71W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 39µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
39nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2700pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 41942 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1 Komponen elektronik
IPD35N10S3L26ATMA1 Penjualan
IPD35N10S3L26ATMA1 Pemasok
IPD35N10S3L26ATMA1 Distributor
IPD35N10S3L26ATMA1 Tabel data
IPD35N10S3L26ATMA1 Foto
IPD35N10S3L26ATMA1 Harga
IPD35N10S3L26ATMA1 Menawarkan
IPD35N10S3L26ATMA1 Harga terendah
IPD35N10S3L26ATMA1 Mencari
IPD35N10S3L26ATMA1 Pembelian
IPD35N10S3L26ATMA1 Kepingan