IPD110N12N3GBUMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Nomor Bagian
IPD110N12N3GBUMA1
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3
Disipasi Daya (Maks)
136W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
120V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 83µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
65nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4310pF @ 60V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 5643 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3GBUMA1 Komponen elektronik
IPD110N12N3GBUMA1 Penjualan
IPD110N12N3GBUMA1 Pemasok
IPD110N12N3GBUMA1 Distributor
IPD110N12N3GBUMA1 Tabel data
IPD110N12N3GBUMA1 Foto
IPD110N12N3GBUMA1 Harga
IPD110N12N3GBUMA1 Menawarkan
IPD110N12N3GBUMA1 Harga terendah
IPD110N12N3GBUMA1 Mencari
IPD110N12N3GBUMA1 Pembelian
IPD110N12N3GBUMA1 Kepingan