IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Nomor Bagian
IPB65R110CFDAATMA1
Pabrikan/Merek
Seri
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
277.8W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
118nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3240pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 42149 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1 Komponen elektronik
IPB65R110CFDAATMA1 Penjualan
IPB65R110CFDAATMA1 Pemasok
IPB65R110CFDAATMA1 Distributor
IPB65R110CFDAATMA1 Tabel data
IPB65R110CFDAATMA1 Foto
IPB65R110CFDAATMA1 Harga
IPB65R110CFDAATMA1 Menawarkan
IPB65R110CFDAATMA1 Harga terendah
IPB65R110CFDAATMA1 Mencari
IPB65R110CFDAATMA1 Pembelian
IPB65R110CFDAATMA1 Kepingan