Beli Infineon Technologies IPB26CNE8N G MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPB26CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Nomor Bagian

IPB26CNE8N G

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Discontinued at Digi-Key

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D²PAK (TO-263AB)

Disipasi Daya (Maks)

71W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

85V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 39µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

31nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2070pF @ 40V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 51913 PCS

Kontak informasi