IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Nomor Bagian
IPB12CN10N G
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 83µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
65nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4320pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 48169 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPB12CN10N G
IPB12CN10N G Komponen elektronik
IPB12CN10N G Penjualan
IPB12CN10N G Pemasok
IPB12CN10N G Distributor
IPB12CN10N G Tabel data
IPB12CN10N G Foto
IPB12CN10N G Harga
IPB12CN10N G Menawarkan
IPB12CN10N G Harga terendah
IPB12CN10N G Mencari
IPB12CN10N G Pembelian
IPB12CN10N G Kepingan