IPB114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
Nomor Bagian
IPB114N03L G
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
38W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
11.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1500pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 21736 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPB114N03L G
IPB114N03L G Komponen elektronik
IPB114N03L G Penjualan
IPB114N03L G Pemasok
IPB114N03L G Distributor
IPB114N03L G Tabel data
IPB114N03L G Foto
IPB114N03L G Harga
IPB114N03L G Menawarkan
IPB114N03L G Harga terendah
IPB114N03L G Mencari
IPB114N03L G Pembelian
IPB114N03L G Kepingan