IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Nomor Bagian
IPB083N15N5LFATMA1
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
179W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
150V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.9V @ 134µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
210pF @ 75V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 13310 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Komponen elektronik
IPB083N15N5LFATMA1 Penjualan
IPB083N15N5LFATMA1 Pemasok
IPB083N15N5LFATMA1 Distributor
IPB083N15N5LFATMA1 Tabel data
IPB083N15N5LFATMA1 Foto
IPB083N15N5LFATMA1 Harga
IPB083N15N5LFATMA1 Menawarkan
IPB083N15N5LFATMA1 Harga terendah
IPB083N15N5LFATMA1 Mencari
IPB083N15N5LFATMA1 Pembelian
IPB083N15N5LFATMA1 Kepingan