Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Nomor Bagian
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO263-3-2
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
150V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 270µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
93nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
5470pF @ 75V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
8V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 44617 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IPB072N15N3GE8187ATMA1
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Komponen elektronik
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Penjualan
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Pemasok
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Distributor
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Tabel data
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Foto
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Harga
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Menawarkan
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Harga terendah
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Mencari
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Pembelian
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Kepingan