Beli Infineon Technologies IPB027N10N3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPB027N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Nomor Bagian

IPB027N10N3GATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D²PAK (TO-263AB)

Disipasi Daya (Maks)

300W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 275µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

206nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

14800pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 19255 PCS

Kontak informasi