Beli Infineon Technologies BSP125L6433HTMA1 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

BSP125L6433HTMA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Nomor Bagian

BSP125L6433HTMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

SIPMOS®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-261-4, TO-261AA

Paket Perangkat Pemasok

PG-SOT223-4

Disipasi Daya (Maks)

1.8W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

120mA (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 120mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.3V @ 94µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

150pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 21651 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

BSP100,135

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223