GA10JT12-263
TRANS SJT 1200V 25A
Nomor Bagian
GA10JT12-263
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Suhu Operasional
175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
-
Paket Perangkat Pemasok
-
Disipasi Daya (Maks)
170W (Tc)
Tipe FET
-
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 10A
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
-
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1403pF @ 800V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
-
Vgs (Maks)
-
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 23036 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari GA10JT12-263
GA10JT12-263 Komponen elektronik
GA10JT12-263 Penjualan
GA10JT12-263 Pemasok
GA10JT12-263 Distributor
GA10JT12-263 Tabel data
GA10JT12-263 Foto
GA10JT12-263 Harga
GA10JT12-263 Menawarkan
GA10JT12-263 Harga terendah
GA10JT12-263 Mencari
GA10JT12-263 Pembelian
GA10JT12-263 Kepingan