Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
EPC2111ENGRT
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Nomor Bagian
EPC2111ENGRT
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Kekuatan - Maks
-
Paket Perangkat Pemasok
Die
Tipe FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fitur FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 37989 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC2111ENGRT
EPC2111ENGRT Komponen elektronik
EPC2111ENGRT Penjualan
EPC2111ENGRT Pemasok
EPC2111ENGRT Distributor
EPC2111ENGRT Tabel data
EPC2111ENGRT Foto
EPC2111ENGRT Harga
EPC2111ENGRT Menawarkan
EPC2111ENGRT Harga terendah
EPC2111ENGRT Mencari
EPC2111ENGRT Pembelian
EPC2111ENGRT Kepingan