Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
EPC2108ENGRT
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Nomor Bagian
EPC2108ENGRT
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
9-VFBGA
Kekuatan - Maks
-
Paket Perangkat Pemasok
9-BGA (1.35x1.35)
Tipe FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Fitur FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V, 100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 30048 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT Komponen elektronik
EPC2108ENGRT Penjualan
EPC2108ENGRT Pemasok
EPC2108ENGRT Distributor
EPC2108ENGRT Tabel data
EPC2108ENGRT Foto
EPC2108ENGRT Harga
EPC2108ENGRT Menawarkan
EPC2108ENGRT Harga terendah
EPC2108ENGRT Mencari
EPC2108ENGRT Pembelian
EPC2108ENGRT Kepingan