Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
EPC2108
MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Nomor Bagian
EPC2108
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
9-VFBGA
Kekuatan - Maks
-
Paket Perangkat Pemasok
9-BGA (1.35x1.35)
Tipe FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Fitur FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V, 100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 7397 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC2108
EPC2108 Komponen elektronik
EPC2108 Penjualan
EPC2108 Pemasok
EPC2108 Distributor
EPC2108 Tabel data
EPC2108 Foto
EPC2108 Harga
EPC2108 Menawarkan
EPC2108 Harga terendah
EPC2108 Mencari
EPC2108 Pembelian
EPC2108 Kepingan