Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

TRANS GAN 100V BUMPED DIE
Nomor Bagian
EPC2045ENGRT
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Paket Perangkat Pemasok
Die
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
685pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 23423 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari EPC2045ENGRT
EPC2045ENGRT Komponen elektronik
EPC2045ENGRT Penjualan
EPC2045ENGRT Pemasok
EPC2045ENGRT Distributor
EPC2045ENGRT Tabel data
EPC2045ENGRT Foto
EPC2045ENGRT Harga
EPC2045ENGRT Menawarkan
EPC2045ENGRT Harga terendah
EPC2045ENGRT Mencari
EPC2045ENGRT Pembelian
EPC2045ENGRT Kepingan