Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

MOSFET NCH 40V 31A DIE
Nomor Bagian
EPC2030ENGRT
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Paket Perangkat Pemasok
Die
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
40V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 16mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1900pF @ 20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 15543 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari EPC2030ENGRT
EPC2030ENGRT Komponen elektronik
EPC2030ENGRT Penjualan
EPC2030ENGRT Pemasok
EPC2030ENGRT Distributor
EPC2030ENGRT Tabel data
EPC2030ENGRT Foto
EPC2030ENGRT Harga
EPC2030ENGRT Menawarkan
EPC2030ENGRT Harga terendah
EPC2030ENGRT Mencari
EPC2030ENGRT Pembelian
EPC2030ENGRT Kepingan