Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
EPC2025ENGR
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Nomor Bagian
EPC2025ENGR
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tray
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Paket Perangkat Pemasok
Die Outline (12-Solder Bar)
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
300V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
1.85nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
194pF @ 240V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 33345 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC2025ENGR
EPC2025ENGR Komponen elektronik
EPC2025ENGR Penjualan
EPC2025ENGR Pemasok
EPC2025ENGR Distributor
EPC2025ENGR Tabel data
EPC2025ENGR Foto
EPC2025ENGR Harga
EPC2025ENGR Menawarkan
EPC2025ENGR Harga terendah
EPC2025ENGR Mencari
EPC2025ENGR Pembelian
EPC2025ENGR Kepingan