EPC2012C
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Nomor Bagian
EPC2012C
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Paket Perangkat Pemasok
Die Outline (4-Solder Bar)
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
140pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 27790 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC2012C
EPC2012C Komponen elektronik
EPC2012C Penjualan
EPC2012C Pemasok
EPC2012C Distributor
EPC2012C Tabel data
EPC2012C Foto
EPC2012C Harga
EPC2012C Menawarkan
EPC2012C Harga terendah
EPC2012C Mencari
EPC2012C Pembelian
EPC2012C Kepingan