EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Nomor Bagian
EPC2012
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Discontinued at Digi-Key
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasional
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Paket Perangkat Pemasok
Die
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
145pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -5V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 33217 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC2012
EPC2012 Komponen elektronik
EPC2012 Penjualan
EPC2012 Pemasok
EPC2012 Distributor
EPC2012 Tabel data
EPC2012 Foto
EPC2012 Harga
EPC2012 Menawarkan
EPC2012 Harga terendah
EPC2012 Mencari
EPC2012 Pembelian
EPC2012 Kepingan