EPC2010C
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Nomor Bagian
EPC2010C
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Paket Perangkat Pemasok
Die Outline (7-Solder Bar)
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
22A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 3mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
5.3nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
540pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 7676 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC2010C
EPC2010C Komponen elektronik
EPC2010C Penjualan
EPC2010C Pemasok
EPC2010C Distributor
EPC2010C Tabel data
EPC2010C Foto
EPC2010C Harga
EPC2010C Menawarkan
EPC2010C Harga terendah
EPC2010C Mencari
EPC2010C Pembelian
EPC2010C Kepingan