Beli Diodes Incorporated DMN1016UCB6-7 MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Nomor Bagian

DMN1016UCB6-7

Pabrikan/Merek

Diodes Incorporated

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

6-UFBGA, WLBGA

Paket Perangkat Pemasok

U-WLB1510-6

Disipasi Daya (Maks)

920mW (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

423pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 11086 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3