Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
C3M0075120J

C3M0075120J

MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Nomor Bagian
C3M0075120J
Pabrikan/Merek
Seri
C3M™
Status Bagian
Active
Kemasan
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paket Perangkat Pemasok
D2PAK-7
Disipasi Daya (Maks)
113.6W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
1200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 5mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
51nC @ 15V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1350pF @ 1000V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
15V
Vgs (Maks)
+19V, -8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 44989 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari C3M0075120J
C3M0075120J Komponen elektronik
C3M0075120J Penjualan
C3M0075120J Pemasok
C3M0075120J Distributor
C3M0075120J Tabel data
C3M0075120J Foto
C3M0075120J Harga
C3M0075120J Menawarkan
C3M0075120J Harga terendah
C3M0075120J Mencari
C3M0075120J Pembelian
C3M0075120J Kepingan