AOWF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
Nomor Bagian
AOWF12N65
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Paket Perangkat Pemasok
-
Disipasi Daya (Maks)
28W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
720 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2150pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 21488 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari AOWF12N65
AOWF12N65 Komponen elektronik
AOWF12N65 Penjualan
AOWF12N65 Pemasok
AOWF12N65 Distributor
AOWF12N65 Tabel data
AOWF12N65 Foto
AOWF12N65 Harga
AOWF12N65 Menawarkan
AOWF12N65 Harga terendah
AOWF12N65 Mencari
AOWF12N65 Pembelian
AOWF12N65 Kepingan