TI (Texas Instruments)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
UCC27712DR Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A

UCC27712DR

Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A
Nomor Bagian
UCC27712DR
Kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Pabrikan/Merek
TI (Texas Instruments)
Enkapsulasi
SOIC-8
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
2500
Keterangan
UCC27712 620-V high-side/low-side gate driver with 2.5-A peak output and robust drive capability
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 61196 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari UCC27712DR
UCC27712DR Komponen elektronik
UCC27712DR Penjualan
UCC27712DR Pemasok
UCC27712DR Distributor
UCC27712DR Tabel data
UCC27712DR Foto
UCC27712DR Harga
UCC27712DR Menawarkan
UCC27712DR Harga terendah
UCC27712DR Mencari
UCC27712DR Pembelian
UCC27712DR Kepingan