Triode/MOS tube/transistor/module

Nomor Bagian
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Pabrikan
P-channel, -30V, -25A, 9mΩ@-10V
Keterangan
86772 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
Pabrikan
Keterangan
58666 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
Littelfuse (American Littelfuse)
Pabrikan
Keterangan
52213 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
Pabrikan
Keterangan
81859 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
SHIKUES (Shike)
Pabrikan
Keterangan
99829 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
WeEn
Pabrikan
Keterangan
76292 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
KEC
Pabrikan
PNP, Vceo=-30V, Ic=-800mA, hfe=150~300
Keterangan
83723 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
Convert Semiconductor
Pabrikan
-
Keterangan
82879 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
CBI (Creation Foundation)
Pabrikan
Keterangan
60492 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
IXYS
Pabrikan
Keterangan
86511 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
SILAN (Silan Micro)
Pabrikan
Keterangan
67809 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
VBsemi (Wei Bi)
Pabrikan
Keterangan
61581 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
APEC (Fuding)
Pabrikan
Keterangan
69328 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
XDM (Xin Da Mao)
Pabrikan
Keterangan
95769 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
WILLSEMI (Will)
Pabrikan
Keterangan
65577 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Pabrikan
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 1.5A Power (Pd): 500mW Collector cut-off current (Icbo): 100nA Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat )@Ic,Ib): 500mV@800mA, 80mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 400@100mA, 1V Characteristic frequency (fT): 100MHz
Keterangan
53721 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
Comchip
Pabrikan
Keterangan
92799 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
MASPOWER
Pabrikan
Drain-source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 38A MOS tube
Keterangan
54910 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
KEC
Pabrikan
N-channel, 600V, 12A, 600mΩ@10V
Keterangan
51753 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
Convert Semiconductor
Pabrikan
-
Keterangan
52565 PCS
Persediaan